所谓CVD就是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）的简称。CVD真空镀膜设备是一种以化学反应方式制作薄膜的工艺装置。CVD真空镀膜设备的工作原理是把含有制膜性能材料的反应气体通向作用基材，在基材上发生化学反应形成薄膜的一整个薄膜生成过程。

1、CVD真空镀膜设备构成

该设备主要构造分为四大部分，有反应室、供气系统、加热系统、尾气体处理系统。

其中，由于反应室的设计的首要考虑点是为薄膜的厚度均匀度提供保障。从结构上来讲，反应室有卧式、立式、卧式与立式结合的圆筒式等类型。其化学反应是发生在基材上的，所以要注意：

（1）经过CVD反应后，大部分尾气是具有腐蚀性或一定毒性的。那么反应室要使镀膜生产的多余尾气可以迅速离开，方便后续的冷凝、水洗中和等尾气处理工作；

（2）能够抑制在气相中发生的一些反应；

（3）设备反应应有充足的气体提供。

2、CVD真空镀膜设备的反应方式及制作薄膜所用材料

（1）反应方式

CVD镀膜采用不同的反应方式可以制备出各种化合物、单质、氧化物和氮化物等之类的薄膜。比如在早期精制金属时，就采用氢还原及化学输送反应。对于现在广泛使用的反应方式的话常见有氧化、加热分解、光激发、等离子体激发等方法。

（2）薄膜原料

CVD镀膜的原料的选择，通常应该在常温下的状态是气态物质，或者是具有较高的蒸汽压的液体或固体物质，常见原料有氢化物、有机金属化合物、卤化物等物料。

CVD真空镀膜设备制膜材料包括除碱及碱土类以外的金属（如金、银）、氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、碲化物、硒化物以及金属化合物及合金，CVD真空镀膜设备广泛用于制作装饰膜、表面保护膜等。