磁控溅射是一个运行模式的二级溅射。它与二，四级溅射的主要不同点；一是，在溅射的阴极靶后面设置了永久磁钢或电磁铁。在靶面上产生水平分量的磁场或垂直分量的磁场，由气体放电产生的电子被束缚在靶面附近的等离子区内的特定轨道内运转；受电场力和磁场力的复合作用，沿一定的跑道作旋转轮转圈。

靶面磁场对荷电粒子具有约束作用，由于电磁场对电子的束缚和加速，电子在到达基片和阳极前，其运动的路径也大为延长，使局部AR气的碰撞电离几率大大增加，氩离子Ar+在电场作用下加速轰击作为阴极的靶材，把靶材表面的分子、原子及离子等电子溅射出来，提高了靶材飞溅脱离率。

被溅射出来的粒子带有一定的功能，沿着一定的方向射向基体，最后沉积在基体上成膜。经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱兹力线的束缚，最终落在基片、真空室内壁及靶电源阳极上。

工作气体电离几率的增加和靶材离化率的提高，使真空气体放电时内阻减小，故磁控靶发生溅射沉积时的工作电压较低（多数在4-600V之间），有的工作电压略高（如>700V），有的工作电压较低（例如300V左右）。

磁控溅射发生时，其溅射工作电压主要还是降落在磁控靶的阴极位降区上。

由于磁控溅射沉积的膜层均匀、致密、针孔少，纯度高。附着力强,可以在低温、低损伤的条件下实现高速沉积各种材料薄膜，已经成为当今真空镀膜中的一种成熟技术与工业化的生产方式。

磁控溅射技术在科学研究与各行业工业化生产中得到了迅速的发展与广泛的应用。

总之，磁控溅射技术就是利用磁场来控制真空腔体内气味“异常辉光发电”中离子、电子的运动轨迹及分布状况的溅射镀膜的工艺过程。